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2008年1月23日

Press Release

高出力、高輝度半導体レーザシステムをリリース

コヒレント社(米国カルフォルニア州サンタクララ)は、2008年1月22日ターンキー操作で高出力、高輝度を実現する半導体レーザシステムHB-diode systemをリリースした。

HB-diode systemは、200μm及び400μmのファイバーコア径より75W出力し、システムのフロントパネルより簡単に出力をコントロールすることができる。その他、アナログ、TTL、RS-232、RS-485のようなインターフェースよりコントロールすることも可能である。また空冷、100VAC動作が可能でラックマウントオプションや同軸への可視アライメントビームが装備されている。

高出力、高輝度、高信頼性、簡易操作を実現するHB-diode systemは、微細加工、メディカル治療、固体レーザ用媒体の励起等の応用に適している。具体的には、プラスチック溶着、電子部品のはんだ付け、ルビジュウム加熱蒸気の励起、RFID(Radio Frequency Identification)の接合、プラスチックマーキング、熱処理、ハードドライブアームの加熱、皮膚/歯科治療、光線力学療法(PDT)等の応用に理想的である。

主な仕様

  • 出力:75W @ 波長808 nm、ファイバーコア径200μm
           @ 波長976 nm、ファイバーコア径400μm
  • NA:0.22

アプリケーション

  • 微細加工
  • メディカル治療
  • 固体レーザ用媒体の励起

特長

  • 高出力
  • 高輝度
  • 空冷、100VAC動作

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