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ピアス型電子銃を用いて、電子ビームを直線的に材料へＦｏｃｕｓし、溶幅、蒸発させるタイプの蒸着源を採用しましたので、小さな電気量にて酸化物を含めて、高融点材料まであらゆる材料を使用することができます。 |
| ■ 成膜室
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１．到達圧力 |
10-8Pa |
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２．基板寸法 |
1インチ |
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３．基板加熱温度 |
1000℃ |
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４．ヒーター材質 |
Taヒーター |
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５．排気系 |
TMP450L/sec R.P250L/min |
| ■ 集束EBガン |
６．印加電圧
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〜15ｋV、0.3A |
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７．フィラメント |
ヘアピン型 Focus、Sweep付 |
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■ ロードロック室
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８．到達圧力 |
10-4Pa |
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９．排気系 |
TMP60L/sec R.P90L/min |
| ■ オプション |
１０．RHEED / ラジカル源 / セル / EBガン / スパッタ源 |
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