MBE EV-100
固体セルによる半導体デバイスの研究生産に、又ガスセルと組み合わせてＭＯＭＢＥとしてもご利用になれる標準型ＭＢＥ装置です。
仕様
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成膜室
１．到達圧力
10
-8
Pa
２．基板寸法
2インチ
３．基板加熱温度
1000℃
４．ヒーター材質
Taヒーター
５．排気系
IP500L/sec
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ロードロック室
６．到達圧力
10
-5
Pa
７．排気系
TMP210L/sec R.P162L/min
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オプション
８．RHEED / ラジカル源 / セル / EBガン
