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液体窒素の代わりに冷却用として水を使用します。
基板はランプ加熱によって、最高800℃まで保証され、ガス雰囲気中でも使用できる構造になっています。
基板ホルダーは回転し、如何なるソースセルに対しても良質にして均一なる結晶膜を成長させることができます。ソースフランジの組み換えにより、目的に応じて多種多様なソースセルを選択できます。 |
| ■ 成膜室
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１．到達圧力 |
10-8Pa |
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２．基板寸法 |
2インチ |
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３．基板加熱温度 |
1000℃ |
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４．ヒーター材質 |
Taヒーター |
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５．排気系 |
TMP1400L/sec R.P345L/min |
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■ ロードロック室
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６．到達圧力 |
10-5Pa |
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７．排気系 |
TMP210L/sec R.P162L/min |
| ■ オプション |
８．小型RHEED / ラジカル源 / セル / 3ｋWEBガン / スパッタ源 |
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