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液体窒素を使用せず、しかも自動ベーキングシステムと操作のCPU化を図った全く新しいコンセプトのもとに開発された装置です。
熱源をチャンバー内に配し、内側から加熱することにより効果の高いベーキングができる構造です。 夕方作業完了後スイッチボタンを押すだけで、翌朝には再び超高真空に回復し、すぐに作業にとりかかることができます。 |
| ■ 成膜室
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１．到達圧力 |
10-8Pa |
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２．基板寸法 |
2インチ |
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３．基板加熱温度 |
1000℃ |
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４．ヒーター材質 |
ランプヒーター / Taヒーター |
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５．排気系 |
TMP1400L/sec R.P345L/min |
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■ ロードロック室
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６．到達圧力 |
10-5Pa |
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７．排気系 |
TMP210L/sec R.P162L/min |
| ■ オプション |
８．RHEED / ラジカル源 / セル / EBガン / スパッタ源 |
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