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本装置は、高純度のSi/Geを効率良く成膜するのに適した装置です。
低融点物質は勿論、酸化物から高融点金属まで幅広い材料が使用できる集束EBガン２基を有し、尚且つKセルも最大４本まで取り付けられます。
冷却用として、液体窒素の代わりに水を使用しておりますので、ランニングコストも非常に経済的です。 |
| ■ 成膜室
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１．到達圧力 |
10-8Pa |
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２．基板寸法 |
2インチ |
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３．基板加熱温度 |
1000℃ |
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４．ヒーター材質 |
Taヒーター |
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５．排気系 |
IP500L/sec |
| ■ 集束EBガン |
６．印加電圧
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〜15ｋV、0.3A |
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７．フィラメント |
Focus、Sweep付 |
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■ ロードロック室
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８．到達圧力 |
10-5Pa |
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９．排気系 |
TMP210L/sec R.P162L/min |
| ■ オプション |
１０．RHEED / セル / 膜厚モニター |
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