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- 新素材創出の為の諸実験に御利用頂けます。
- ３元のスパッタリングが可能です。 ターゲットポジショニング回転機構により、一つの基板に対して３つのターゲットのDC／RF（オプション）両方式のマグネトロンスパッタリングのセッティングが可能です。
- 基板ホルダーは加熱機構付です。 基板は最高600℃まで加熱できます。
- マスクを使用することにより、基板上の任意の場所にカーボンナノチューブを合成させることができます。
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| １．スパッタ室 |
到達圧力 ： 10-5Pa台
ターゲット数 ： 3基（手動にて選択） |
| ２．スパッタガン |
寸法 ： φ2" |
| ３．マニピュレータ |
基板寸法 ： φ1"対応
最高加熱温度 ： 600℃（ランプ加熱） |
| ４．マスフローコントローラ |
ガス種 ： Ar、その他 |
ガラス基板上に合成させたCNT |
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