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幅広くさまざまな機能を備えた上で、構造設計上随所に工夫を凝らしてありますので、非常に使い易い装置です。 電子デバイスの薄膜形成・GMR等の研究用・高温超伝導体等の新しい材料の創製技術用としてご利用頂けます。
ターゲットポジショニング回転機構の開発により、１つの電極を用いて５つのターゲットのDC・RF両方式のマグネトロンスパッタが可能です。 又、基板ホルダーは回転し、速度も選択できます。 |
| ■ 成膜室
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１．到達圧力 |
1.5×10-6Pa |
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２．基板寸法 |
2インチ |
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３．基板加熱温度 |
600℃ |
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４．ヒーター材質 |
ランプヒーター |
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５．ターゲット |
3インチ×5基（モーター駆動） |
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６．排気系 |
TMP500L/sec R.P250L/min |
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■ ロードロック室
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７．到達圧力 |
6.6×10-5Pa |
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８．排気系 |
TMP60L/sec R.P90L/min |
| ■ オプション |
９．冷却機構付基板ホルダー / 加熱冷却機構付基板ホルダー / 機構 / UHV対応型 / ラジカル源
/ 防着板 |
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