高品質ＰＸＰ成膜装置 （パラキシリレンポリマー）　EPC-100

CVD法による高品質ポリパラキシレン薄膜の成膜装置です。 電子デバイス内の各種絶縁部材(ゲート絶縁層等)や封止に最適。   仕様   ■ 到達圧力 10-5Pa台 ■ チャンバー寸法 ø253×350mm程度 ■ 高分子蒸着源 石英管ø50×1000mm程度 ■ 気化炉 気化　〜180℃ ■ 分解炉 熱分解650〜750℃ ■ チラーユニット 温度設定範囲‐20℃〜30℃ ■ コールドトラップ 4インチ