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本装置は紫外線のレーザーを用いた薄膜形成装置です。 圧力の高い特定ガス雰囲気中で反応させながら薄膜を作製させることが可能です。
レーザー光を吸収する物質なら、融点の高低に拘らず蒸着母材として何でも使用でき、MBEのKセルの様に母材の選択に制限を与える事はありません。
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| ■ スパッタチャンバー |
１．到達圧力 |
5×10-6Pa |
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２．チャンバーサイズ |
ø406×600H |
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３．基板寸法 |
2インチ |
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４．基板加熱温度 |
800℃MAX ランプヒーター |
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５．ターゲットホルダー |
ø20×4枚 |
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６．排気系 |
TMP500L/sec R.P250L/min |
| ■ ロードロック室 |
７．到達圧力 |
10-4Pa |
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８．排気系 |
TMP210L/sec R.P162L/min |
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