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触媒金属の堆積から、カーボンナノチューブ（CNT）の合成まで真空中で連続して行えるように、マルチスパッタリング装置とプラズマ化学気相堆積装置（PECVD）を一体化させました。
また、カーボンナノチューブをシリコンなどの様々な基板上に600℃以下で合成することができます。 |
| ■ チャンバー |
１．到達圧力 |
1.5×10-5Pa以下 |
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２．基板寸法 |
2インチ |
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３．基板加熱温度 |
600℃ |
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４．ヒーター材質 |
ランプヒーター |
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５．面内回転 |
5,10,15RPMの3段階切り替え |
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６．排気系 |
TMP210L/sec R.P162L/min |
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７．ターゲット数 |
5基（1基はCVD用） |
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８．ターゲット寸法 |
ø3インチ |
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９．ガス導入 |
マスフローコントローラ×3台 |
| ■ オプション |
10．ロードロックチャンバー / マスク交換機構 / エミッタ評価機構 / ラジカル源 / 膜厚計
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