封止装置　EHB-300

特長 本システムは小型電子デバイス、ディスプレイデバイス等の超高真空中での封止（パッケージング）及び電気特性評価を行う装置です。 独自の加熱方式により加熱処理中も超高真空を維持します。 任意の位置にアクセス可能なプローブ機構を備えており、封止から電気特性評価まで超高真空中で一貫して処理を行うことも可能です。   仕様   ■ 加熱・封止室 到達圧力 1.3×10-7Pa 基板パッケージ寸法 50mm角 基板加熱温度 Max　600℃ 評価用プローブ 3式 電圧印加用プローブ 2式 排気系 TMP＋RP ■ ロードロック室 到達圧力 6.6×10-5Pa   排気系 TMP＋RP