HOSHIN
ELECTRONICS CO.,LTD.

チャージアンプHB (N012-1)

photo   シリコンディテクタやシリコンストリップ用プリアンプに最適
FET入力型の電荷、電圧変換プリアンプ
放射線計測用に開発しており高感度、低雑音、低消費電流

特長

  • 1V/pcの変換係数
  • ハイブリッドですので検出器の後部へ直接取り付けができます
  • シェーパーアンプも、製作しております
仕様
    内 容 ハイブリッド型 電荷-電圧変換プリアンプ
    変換係数 1Volt/Pico-coulomb
    雑音特性 1.6keV(Si)FWHM(0pF)
    負帰還定数 1GΩ、1pF
    電 源 ±12V
ピン接続
    ピン番号   機         能
    1    +12V電源入力
    2    ±12V電源コモン入力(電源グランド)
    3    0Ω信号出力
    4    50Ω信号出力
    5    -12V電源入力
    6    テスト・パルス終端用50Ω抵抗端子(推奨グランド側)
    7    テスト・パルス終端用50Ω抵抗端子(推奨信号側)
    8    テスト・パルス入力
    9    信号入力
    10    FETドレイン電流設定用端子#1
    11    信号入力グランド
    12    FETドレイン電流設定用端子#2

 

LOGO   株式会社 豊伸電子
〒216-0006 神奈川県川崎市宮前区宮前平3-9-12
TEL.044-861-0202 FAX.044-861-0121
E-Mail:info@hoshin-el.co.jp