HOSHIN
ELECTRONICS CO.,LTD.
チャージアンプHB
(N012-1)
シリコンディテクタやシリコンストリップ用プリアンプに最適
FET入力型の電荷、電圧変換プリアンプ
放射線計測用に開発しており高感度、低雑音、低消費電流
特長
1V/pcの変換係数
ハイブリッドですので検出器の後部へ直接取り付けができます
シェーパーアンプも、製作しております
仕様
内 容
:
ハイブリッド型 電荷-電圧変換プリアンプ
変換係数
:
1Volt/Pico-coulomb
雑音特性
:
1.6keV(Si)FWHM(0pF)
負帰還定数
:
1GΩ、1pF
電 源
:
±12V
ピン接続
ピン番号
機 能
1
+12V電源入力
2
±12V電源コモン入力(電源グランド)
3
0Ω信号出力
4
50Ω信号出力
5
-12V電源入力
6
テスト・パルス終端用50Ω抵抗端子(推奨グランド側)
7
テスト・パルス終端用50Ω抵抗端子(推奨信号側)
8
テスト・パルス入力
9
信号入力
10
FETドレイン電流設定用端子#1
11
信号入力グランド
12
FETドレイン電流設定用端子#2
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