| UTS-200型 膜厚測定装置 |
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UTS-200は、半導体デバイスにおけるエピ膜厚、基板厚、エッチング残厚、液晶セルギャップなどの厚みを、最新の分光技術を応用した非破壊・非接触で、高速かつ高精度に膜厚を計測することが可能です。本装置は高速マッピング、広い計測レンジ、洗練された操作環境など、膜厚計測において要求される仕様が高い次元で融合したシステムになっており、プロセスユースから開発・評価に至る幅広いニーズに対応します。測定対象に合わせて近赤外モデル、中赤外モデルが用意されています。 |
■特長
UTS-200は、赤外領域の干渉スペクトルを解析することで、非破壊・非接触で、高速かつ高精度に膜厚の計測を行ないます。計測では、膜の厚さに応じた周期を持つ干渉スペクトルが得られます。その干渉スペクトルを、日本分光独自の周波数解析法によりスペーシャルグラムに変換し、そのピーク位置から高精度に膜厚を算出します。 |
■仕様
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