エリプソメータ/日本分光(株)

Ｍ-220型　エリプソメータ

エリプソメトリは、物質の表面で光が反射する際の偏光状態の変化を観測して、その物質の光学定数（屈折率、消衰係数）を決定する方法で、物質表面の吸着層、酸化膜などの膜厚、光学定数を感度良く求めることができます。通常の干渉分光法が、別々の光路を通った光を合成するのに対し、エリプソメトリの場合、同一光路にある2つの振動成分を使う干渉法なので、光路の乱れが無く、精度、感度とも非常に優れているという特長を持っています。
日本分光のエリプソメータは、光弾性変調子を用いた偏光変調法（PEMデュアルロックイン方式）を採用しています。このPEMデュアルロックイン方式は、従来のエリプソメータに使用されている機械的な駆動機構を持たず、安定した測定系を得ることができます。これにより、高速データサンプリング、波長スキャン測定を始めとする特長あるエリプソメータを実現しました。

■特長

自動波長スキャン
PEMデュアルロックイン方式（日本分光特許：第2064627号）は、波長に応じたPEMの駆動電圧を光サーボ（日本分光特許：第2081599号）で自動制御しているため、高精度で高速な波長スキャン測定が可能です。
高速データサンプリング
PEMデュアルロックイン方式は高速な電気的変調（50kHz）であるため、偏光子の機械的回転を伴う方式に比べはるかに高速で、最高1msecからのデータサンプリングが可能です。
高安定・高信頼性
PEMデュアルロックイン方式により、機械的誤差のない静的な測定系が実現しました。さらに光サーボ、光リファレンスの採用で高い安定性を得ています。
高感度な薄膜分析
PEMデュアルロックイン方式は、誘電体、半導体の極薄膜に最大感度が得られる独自の偏光素子の配置を採用しており、高感度な薄膜分析が可能です。

■仕様

測定方式： PEMデュアルロックイン方式

測定波長： 632.8nm He-Neレーザ光源
260～860nm（Xe光源、ダブルモノクロメータ搭載）
半導体レーザをオプション追加可能

波長幅： 0.5、1.0、2.0nm

入射角範囲： 40°～90°連続自動設定

膜厚測定範囲： 0～99999Å

測定時間： 1msec以上

測定精度：屈折率　　±0.01
膜厚　±1Å
消衰係数　±0.01