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使用例

赤外線導入加熱装置の使用例

1. 超高真空中試料のクリーニング

 写真1は、X線光電子分光装置に取付け使用されている例である。写真中央上部の細長い形状をした部分がクリーン加熱の熱源、赤外線導入加熱装置「GVH型」である。試験試料のクリーン加熱は、その下部の円筒状予備室内(超高真空中)で赤外線照射受けて昇温、不純物を放出する。クリ ーン化した試験試料は大気に暴露することなく、そのまま超高真空中を搬送機構により右側の分析室に搬送される。大気暴露による汚染が防止され、クリーンな試料のまま高精の分析が可能となる。


赤外線導入加熱装置 GVH (超高真空型)
 写真1 GVH型のX線光電子分光装置取付例
(納入先:東京都市大学)
   

2. 酸化物薄膜の作成例

 遷移金属酸化物薄膜の作成法にはPLD法(原料に紫外線レーザーをパルス的に照射し、瞬間的に分解・蒸発させ、基板に堆積する方法)があるが、酸化物をエピタキシャル成長させるには基板を高酸素圧雰囲気中で高温度に加熱する必要がある。図はその概念図で、写真2は基板加熱用として赤外線導入加熱装置(写真上部)を取り付けられた例である。


PLD装置
・到達真空度  5×10-9 Pa
・到達温度  1200℃〜1400℃
(京都大学低温物質科学研究センター教授寺嶋孝仁様提供)
写真2 PLD装置上部に赤外線加熱装置を取付
PLD法
   

3. X線照射中試料の加熱

 兵庫県のSpring‐8で使用されている製品が写真3である。高真空中でX線照射中に試料を超高温まで昇温し、X軸,Y軸,Z軸の回転移動ができる。また、昇温・保持・降温状態での結晶構造の分析もできる。赤外線を試料の表裏の両面から照射し昇温する機構で、試料に照射する入射X線や、回折線の通過に支障を与えない。


X線トポグラフ熱処理装置(GVL298‐2)
・最高到達温度 1500℃
・試料回転 X軸,Y軸,回転
・到達真空度 5×10-4 Pa
(九州工業大学教授 近浦吉則様 提供)
写真3 X線トポグラフ熱処理装置(GVL298‐2)

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