大気側熱源から、高真空内に赤外線を導入し加熱試料に照射、 まわりを加熱せず試料のみを高速昇温します。

用途

Ｘ線やレーザー照射中試料、PLD基板加熱、昇温脱離分析試料の加熱等、研究室手持の高真空装置に直接取付ができます。サーモ理工が開発した特殊赤外線導入機構により周りを加熱せず試料のみクリーン加熱ができます。

シリコン等の超高速昇温や薄膜・超電導材料の昇温、加熱に使用できます。

加熱面積ø5〜20、取付フランジICF70

型番	最大昇温速度	到達温度	最高到達真空度
GVL298	150℃/sec	1500℃	5×10-7Pa
GV198	100℃/sec	1300℃	5×10-7Pa

大気側にある熱源から、超高真空内に赤外線を導入し加熱試料に照射、まわりを加熱せず試料のみを任意の温度に昇温します。
X線光電子分光装置内試料の清浄化、電子顕微鏡内の試料、放射光照射中の超高真空中試料の昇温に使用できます。
研究室手持の高真空システムのICF70フランジに、直接取付ができます。

加熱面積ø10〜20

型番	最高到達温度	最高到達真空度	取付フランジ
GVH298	1400℃	5×10-9Pa	ICF70
GVH198	1200℃	5×10-9Pa	ICF70

赤外線導入加熱装置と真空チャンバー・高真空排気系・温度制御器で構成し、超高速昇温・降温制御・真空中・各種ガス雰囲気中のクリーン加熱、正確な温度測定ができます。

試料の出入は、真空チャンバー前面扉の開閉により行います。付属の高真空排気装置により短時間に高真空に到達し、昇温試験を始められます。

シリコン、薄膜、超電導材料等の超高速昇温。

型番	最大昇温速度	到達温度	最高到達真空度
GV-2	150℃/sec	1500℃	5×10-5Pa
GV-1	100℃/sec	1300℃	5×10-5Pa

試料に機械的圧力を加えながら温度上昇させ、その荷重変化を計測します。 昇温速度、保持温度は任意に選択。

型番	最高到達温度	到達真空度	荷重範囲
GV3P	1500℃	5×10-4Pa	2N〜200N

高真空中、ガスフロー中試料を超高温まで超高速昇温。
炭化珪素等の高速昇温熱処理に使用されます。
試料の出入は、真空チャンバー前面扉の開閉により行います。

超高真空中内の小面積金属材料を超高速昇温し、それから発生する微量ガスの検出、質量分析ができます。 昇温速度、保持温度は任意に選択。

型番	最高到達温度	昇温速度	到達真空度
GV2H	1500℃	1500℃約1分	5×10-6Pa以上

納入先：京都大学

試料部は水平移動で超電導マグネット・ボア内に挿入します。
真空中、ガス雰囲気中で試料に赤外線を照射しボア内壁を加熱せず試料のみ高温加熱します。

型番	到達温度	試料部外周温度
GV-M1	1000℃	40℃以下

超電導磁石のボア内壁を加熱せず試料のみクリーン昇温します。
真空ガス雰囲気中加熱も可能。

型番	到達温度	試料寸法	雰囲気
GV154M	1000℃	約ø10	真空・ガスフロー

Ｘ線照射中・高真空中の試料を超高温まで昇温できます。試験試料は加熱中でもＸ軸・Ｙ軸の移動及び回転ができます。赤外線導入加熱装置を２台使用、試料の両面から赤外線を照射し昇温させます。

型番	最高到達温度	加熱試料の移動	到達真空度
GVL298X	1500℃	Ｘ軸・Ｙ軸・回転	5×10-4Pa

納入先：日本原子力研究開発機構(Spring-8)

円板状試験片に両面から瞬時に赤外線を照射し、高速昇温・熱衝撃を与えます。供給電力量と試験片温度は連続記録ができます。セラミックス等の熱衝撃試験等に使用されます。

型番	最高到達温度	最高昇温速度	加熱領域
TH-4K	1700℃	150℃/sec.	ø15

納入先：(財)ファインセラミックスセンター、名古屋工業大学、
　　　　　 (独)産業技術総合研究所 名古屋　等

赤外線と高周波の2種の熱源を採用、その特長を生かした新加熱方式。

経済産業省 平成１４年・１５年度「地域新生コンソーシアム研究開発事業」に採択され、(独)産業技術総合研究所，日本サーモニクス(株)，(株)サーモ理工の三社の共同研究により開発。