1. クリーン加熱、高速昇温、降温、非接触加熱
2. 外部熱源より真空中試料に赤外線を集光加熱
3. 真空高温加熱中試料の観察

型番	到達温度	加熱面積	真空度
IVF298W	1500℃	ø10〜20	5×10-4Pa

真空炉内試料の上面より、赤外線を平行照射し、均一な温度分布で超高速昇温します。
真空チャンバー上部を開口し試料のセットができ、ガス雰囲気中加熱もできます。

型番	加熱面積	到達温度	到達真空度
IVF29P	ø50	800℃	5×10-4Pa

自由落下方式による微小重力場のラピッドアニール用として開発したものです。赤外線放射加熱装置(IR98)を2台使用し、10Gの重力にも耐えられます。大気中、真空中加熱ができます。

型番	最高到達温度	最高昇温速度	到達真空度
IVF198CV	1500℃	100℃/sec	10-3Pa（10-5torr）

納入先： NTT他

特長

• 透明石英管内試料に赤外線を集光、照射、昇温。
• ２kWの電力で1600℃

真空炉内試料の上下両面より、赤外線を平行照射し、均一な温度分布で高速昇温ができます。

型番	加熱面積	到達温度	到達真空度
IVF39PD	ø50	1200℃	5×10-4Pa

透明石英管内試料に上下両面から赤外線を照射、昇温します。
試料は横からガイド機構により搬送します。

型番	到達温度	昇温速度	加熱面積	雰囲気
IR2GH	1700℃	150℃/sec	ø12×10	真空 ガスフロー中

使用例：透明試料、シリコン等の急速熱処理

小型真空チャンバー内、試料に下面より赤外線を導入照射し試料のみクリーン加熱をします。
昇温脱離分析用、X線照射中試料の昇温、真空ガス雰囲気中での昇温にも使用できます。

型番	照射面温度	裏面温度	到達真空度
GVB298	1500℃	1000〜1300℃	5×10-5Pa
GVB198	1300℃	900〜1000℃	5×10-5Pa