ラピットアニール 赤外線導入加熱システム GV2

1. 周辺部を加熱せず目的の試料のみ高速昇温
2. 非接触・クリーン加熱。汚染なし。
3. 真空、ガス雰囲気中加熱
4. 少ない電力、高温度到達（省エネ加熱）

最大昇温速度	：	150℃/sec.以上
昇温方式	：	プログラム制御
最高到達温度	：	1500℃以上
赤外線放出部	：	ø20　上下移動25�o
到達真空度	：	5×10-4Pa以上、ガス中

• Si、SiC等新素材の超高速熱処理
• 薄膜作成や酸化物結晶の作成
• レーザーアブレーション、昇温脱離分析
• X線光電子分光装置、RTA装置組込
• 磁場中試料の加熱用

赤外線導入加熱装置GVL298M・GA298

1. マグネット壁を加熱せず試料のみ昇温
2. 短時間で目的温度まで昇温。1500℃まで約1分
3. 真空・ガス雰囲気内試料の加熱もできる
4. 加熱試料の磁場内出入自在、上下駆動機構付
5. 試料温度の測定ができる

磁性体材料等の磁場中昇温、強磁場中Fe・Co合金の焼鈍他

超高温スーパーRTA　SR1800

[特長：仕様]

1. 最高到達温度：1800℃
2. 最大昇温速度　300℃/sec
3. 電気容量わずか2kW
4. 真空、ガス、雰囲気中

東京都中小企業振興公社の新製品開発助成を受け開発。

2010年4月26日（月）
日刊工業新聞に掲載されました

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