1. クリーン加熱、高速昇温、降温、非接触加熱
2. 外部熱源より真空中試料に赤外線を集光加熱
3. 真空高温加熱中試料の観察

型番	到達温度	加熱面積	真空度
IVF298W	1500℃	ø10〜20	5×10-4Pa

1. 昇温中でも電気炉内の試料が見える
2. 温度分布1000℃で±5℃
3. 昇・降温速度が速い
4. 真空・ガス雰囲気中での昇温
5. 多数の試料の同時処理

型番	均温容積	真空度
GFA430VN	ø36×200L	5×10-4Pa

写真下部の小さい試料に赤外線を集光照射し、短時間に昇温。 非接触加熱なので熱源からの汚れはなくクリーン加熱ができます。
補助ミラー・支持スタンド付き、別途電源が必要。

型番	到達温度	加熱面積	赤外線放射口	焦点距離
IR298	1500℃	ø12〜20	ø80	40�o

使用例：シリコン、セラミックス金属、部材等の熱処理

高温型の赤外線放射部のユニット製品です。 小面積部に赤外線を集光照射、クリーン加熱ができます。補助ミラー・支持スタンドはオプションです。

型番	到達温度	加熱面積	赤外線放射口	焦点距離
IR298UT	※1300℃	約ø15	ø90	80�o

　　　　※補助ミラー付きで、1500℃、1300℃

使用例：シリコン、セラミックス金属、部材等の熱処理

標準型の赤外線放射部のユニット製品です。小面積部に赤外線を集光照射、クリーン加熱ができます。 補助ミラー・支持スタンドはオプションです。

型番	到達温度	加熱面積	赤外線放射口	焦点距離
IR198UT	※1000℃	約ø10	ø90	80�o

　　　　※補助ミラー付きで、1300℃

使用例：シリコン、セラミックス金属、部材等の熱処理

中面積用赤外線放射部です。均熱機構付で最大ø50の試料を加熱できます。支持スタンドはオプションです。

型番	到達温度	加熱面積	赤外線放射口
IR29PUT	800℃	約ø50	ø60

使用例：シリコン、セラミックス金属、部材等の熱処理

赤外線は導入ロッドの先端より放出し、囲りを加熱せず試料のみ短時間で昇温。 狭い空間、磁場中、運動中試料の加熱用。支持スタンド付き。

型番	到達温度	到達真空度	加熱面積
GA298	1500℃	真空・ガス中	ø10〜20
GA198	1300℃

使用例：固定・回転・往復運動中試料の加熱