Ｎ０１２−１
チャージアンプ　ＨＢ
（チャージセンシティブプリアンプ）

photo 　 ハイブリットタイプ の チャージセンシティブ・プリアンプです。
ＦＥＴ 入力型 の電荷・電圧変換用 のプリアンプです。
放射線計測用 に開発しているため、高感度・低雑音・低消費電流です。

特長

  • シリコンディテクターやシリコンストリップ用のプリアンプに最適
  • ハイブリッドＩＣ タイプのため検出系の後段へ直接取付が容易
  • １Ｖ／ｐｃ の変換係数
  • シェーパーアンプ も製作可能
仕様
    内　　　容 ： ハイブリッド型　電荷−電圧変換 プリアンプ
    変換係数 ： １Ｖ／Ｐico-coulomb
    雑音特性 ： １.６ｋｅＶ（Ｓｉ） ＦＷＨＭ（０ｐＦ）
    負帰還定数 ： １ＧΩ 、１ｐＦ
    電　　　源 ： ±１２Ｖ
ＰＩＮ 番号
    1  ：  ＋１２Ｖ 電源入力
    2  ： ±１２Ｖ 電源 コモン入力（電源グランド）
    3  ： ０Ω 信号出力
    4  ： ５０Ω 信号出力
    5  ： −１２Ｖ 電源入力
    6  ： テスト・パルス終端用 ５０Ω 抵抗端子（推奨　グランド側）
    7  ： テスト・パルス終端用 ５０Ω 抵抗端子（推奨　信号用）
    8  ： テスト・パルス入力
    9  ： 信号入力
    10  ： ＦＥＴドレイン電流 設定用 端子 ＃１
    11  ： 信号入力グランド
    12  ： ＦＥＴドレイン電流 設定用 端子 ＃２
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